陳星弼院士去世曾入選ISPSD名人堂陳星弼人物生平貢獻成就介紹
2021-09-01 21:45:42 來源:
陳星弼院士去世曾入選ISPSD名人堂 陳星弼人物生平貢獻成就介紹
陳星弼院士去世,中國功率器件領路人陳星弼院士于12月4日在成都逝世,享年89歲。陳星弼是國際半導體界著名的超結構的發明人,該發明被稱為功率器件的新里程碑。他曾說,能夠在短促的人生中,以科學服務人類,這就是我此生不倦追求。希望有更多的青年獻身科研,成為服務國家科研發展的脊梁。走好!
2019年12月4日17時10分,中國功率器件領路人陳星弼在四川成都逝世,享年89歲。陳星弼,1931年1月出生于上海,1952年畢業于國立同濟大學電機系,先后在廈門大學、南京工學院及中國科學院物理研究所工作,1956年開始在電子科技大學任教,1999年當選中國科學院院士。他是國際半導體界著名的超結結構(Super Junction)的發明人,該發明被稱為功率器件的新里程碑。2018年,在功率半導體領域最頂級的學術年會上,陳星弼院士入選ISPSD首屆名人堂,成為國內首位入選名人堂的華人科學家。
陳星弼是我國功率半導體領域的領路人和集大成者。他一生發表學術論文200余篇,獲得中美等國專利授權40余項。他是國際上首個提出超結耐壓層理論的科學家,他的超結發明專利打破傳統硅極限,被國際學術界譽為高壓功率器件新的里程碑。
陳星弼曾獲得國家技術發明獎、科技進步獎等諸多榮譽,2015年獲得IEEE ISPSD(國際功率半導體器件與集成電路年會)頒發的最高榮譽國際功率半導體先驅獎,成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂,成為首位入選名人堂的華人科學家。
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